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日本功率半导体大撤退云顶国际- 云顶赌场- 娱乐城

2025-08-31 22:17:05

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  在产品开发上,尽管罗姆加速推出下一代SiC功率半导体,2024年6月宣布第六代产品将比原计划提前一年上市,从2028年提前至2027年,原定于2029年上市的第七代产品也提前至2028年上市,第五代SiC MOSFET产品预计将于2025年以质量评估样品的形式提供,第八代产品的开发已进入模拟设计阶段。可即便如此,面对来势汹汹的中国竞争对手,罗姆仍倍感压力。罗姆功率器件业务负责人Kazuhide Ino坦言,如果开发速度无法超越中国竞争对手,罗姆将无法在市场上取得成功。罗姆甚至承认,中国制造商在SiC基板功能方面已达到顶级水平。

  从投资回报来看,东芝在功率半导体领域也未达预期。2023年东芝将功率半导体业务定位为增长领域,计划在截至2026财年的三年内共计投资约1000亿日元。虽有兵库县姬路半导体工厂新厂房竣工,将承担IGBT等功率半导体后道封装业务,产品供应日本汽车相关厂商;石川县加贺工厂也已建成,用于制造12英寸IGBT晶圆,投入运营后汽车功率半导体产能比2022财年增加一倍以上。但市场环境变幻莫测,电动汽车需求半停滞,即便电动化趋势未改,可短期内东芝功率半导体业务难从大规模投资中获取足够回报。

  曾几何时,三菱电机对功率半导体业务满怀憧憬,布局雄心勃勃。2023年3月,其宣布计划在5年内投资约1000亿日元,用于建设新的8英寸SiC工厂并加强相关生产设施,彼时规划该厂房于2026年4月投入运营,还计划在熊本县合志市的工厂增强150毫米晶圆生产设备,在功率器件制作所(福冈市)投资100亿日元建设新厂房用于后制程,并预计到2026年度,晶圆产能大幅增加至2022年度的5倍,目标是到2030财年将功率半导体业务中SiC的销售额比例提高到30%以上。甚至一度宣布位于熊本县正在建设的SiC晶圆厂将提前至2025年11月开始运营,工厂完工时间定为2025年9月。

  缺乏信任与协作:从企业内部来看,各家公司对自身专有技术过度保护。一位日本大型芯片制造商的资深员工透露,公司的生存高度依赖能否开发出契合客户规格的产品,所以在产品规格信息共享方面极为谨慎,生怕专有技术泄露,即便是对客户也小心翼翼。这种对技术泄露的担忧,使得企业间难以建立起深度信任,而信任恰是深度整合与协作的基石。并且,由于每家企业都拥有广泛的产品线,在协调过程中,从生产安排到技术融合,都面临着诸多难题,极大地阻碍了企业间的合作进程。

  中国企业的崛起:中国新兴功率半导体企业发展迅猛,在全球市场上迅速抢占份额。在碳化硅基板制造市场,天科合达和天岳先进等企业已崭露头角,甚至可以说中国企业几乎主导了这一市场。中国企业不仅在产能上不断扩张,而且凭借国内庞大的电动汽车市场需求,能够实现规模化生产,有效降低成本。同时,中国企业还能借助客户数据持续改进产品,进一步提升产品竞争力。在全球功率半导体市场,中国企业的价格优势也迫使日本企业陷入价格战的困境,不断压缩其利润空间。

  在氮化镓领域,英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆量产的企业,自2023年以33.7%的收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一以来,持续主导市场份额。其IDM全产业链模式(从设计、制造到封测)保障了产品稳定性,并为NVIDIA Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案,成为其800V直流架构中唯一的中国供应商。近日,英诺赛科市值更是突破740亿港元大关,上市短短不到一年时间便跃升为功率器件企业市值TOP1,可见其实力非同一般。

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